Преди няколко месеца от “Samsung” обявиха пускането на най-бързата LPDDR5 памет за смартфони. Сега обаче се появи техен конкурент, който обещава нова, по-бърза скорост. Говорим за LPDDR5T.
Компанията “SK Hynix“ анонсира новата памет, която е разработена в сътрудничество с “Intel”. Последната буква “Т” означава т.н Turbo режим. Инженерите на компанията се фокусират върху подобряване на скоростта на DDR5 модула, вместо да се влагат средства в разработката на нов и високо производителен чип.
Благодарение на интегрирането на технологичния процес HKGM (High-K Metal Gate) в DRAM транзисторите, чипът позволява висока производителност и ниска консумация на ток. Това ще даде възможност за използването му в ултрабуци и лаптопи, и то при ултраниски напрежения, вариращи между 1,01 - 1,12 V.
Освен това новият чип ще може да се използва и при машинното обучение и изкуствения интелект. Тестовете през декември на новата памет, показаха скорост от 9,6 Gbps, което е 80% по-бързо от сегашните DDR5 продукти на пазара, които достигат до 4,8 Gbps. Това означава, че чипът може да обработва 77 GB данни/s.
Твърде вероятно е да видим LPDDR5T в някой от продуктите на технологичните гиганти през следващата година и то най-вероятно на ежегодния CES 2024. А, масовото му производство трябва да започне от средата на тази година.
Powered By OpenCart ZettaByte © 2024